- collector breakdown
- пробой коллекторного перехода
English-Russian dictionary of microelectronics. 2014.
English-Russian dictionary of microelectronics. 2014.
Collector's Edition No. 1 — EP by L.A. Guns Released 1985 … Wikipedia
collector junction breakdown — kolektoriaus sandūros pramušimas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. collector junction breakdown vok. Kollektor Basis Durchbruch, m; Kollektorübergangdurchbruch, m rus. пробой коллекторного перехода, m pranc. claquage de jonction de… … Automatikos terminų žodynas
Second breakdown — The second breakdown is an irreversible failure mode in power semiconductors.The safe operating area (SOA) of a power transistor is a subset of the parameter combinations of collector emitter voltage and collector current, which the device can… … Wikipedia
ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
пробивное напряжение — 2.2 пробивное напряжение: Максимальное значение напряжения, необходимого для пробоя искрового промежутка свечи при заданных условиях Источник: ГОСТ 28772 90: Системы зажигания автомобильных двигателей. Термины и определения … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора — Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Обозначение Uкпрэ UBR ECO Примечание На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение… … Справочник технического переводчика
Пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора — 108. Пробивное напряжение эмиттер коллектор фототранзистора D. Emitter Kollektor Durch bruchspannung eines Phtototransistors E. Emitter collector breakdown voltage of a phototransistor F. Tension de claquage émetteur collecteur de phototransistor … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Avalanche transistor — An Avalanche Transistor is a bipolar junction transistor designed for operation in the region of its collector current/collector to emitter voltage characteristics beyond the collector to emitter breakdown voltage, called avalanche breakdown… … Wikipedia
Bipolar junction transistor — BJT redirects here. For the Japanese language proficiency test, see Business Japanese Proficiency Test. PNP … Wikipedia
semiconductor device — ▪ electronics Introduction electronic circuit component made from a material that is neither a good conductor nor a good insulator (hence semiconductor). Such devices have found wide applications because of their compactness, reliability,… … Universalium
India — /in dee euh/, n. 1. Hindi, Bharat. a republic in S Asia: a union comprising 25 states and 7 union territories; formerly a British colony; gained independence Aug. 15, 1947; became a republic within the Commonwealth of Nations Jan. 26, 1950.… … Universalium